NTDCZSi相关论文
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0......
用正电子湮灭寿命谱技术研究了ＮＴＤＣＺＳｉ的辐照损伤退火行为．发现辐照后的ＣＺＳｉ中产生了大量空位型缺陷。随着退火温度升高，这些缺陷不断分解，直到１１００℃......
在适当温度退火时，中子嬗变掺杂（NTD）的CZSi中产生的大量亚稳态辐照缺陷在退火过程中会增强氧的外扩散与沉淀。根据CZSi中热施主与电......
受天津市科委委托,由河北工学院主持的“功率器件 NTDCZ SI 及应用”鉴定会于一九八八年十二月二十日至二十一日在天津市河北工学......
利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应......
<正>NTDCZ Si在消除辐照损伤的退火过程中.在750～900℃范围内出现了施主现象.用FTIR,四探针,Hall,正电子湮灭等手段研究了NTDCZ Si......
